تراشه IR2117S درایور MOSFET و IGBT

آی سی IR2117S یک درایور ولتاژ و سرعت بالا برای MOSFET و IGBT می باشد که خروجی آن برای کاربردهای HALF-BRIDGE طراحی شده است.

درایور ترانزیستورهای ماسفت و IGBT با 8 پایه و قیمت ارزان مبتنی بر تکنولوژی CMOS دارای تغذیه تا حداکثر 20 ولت بوده در حالی که تا ولتاژ 600 ولت را قادر به تحمل در قسمت قدرت خود می باشد.

مدت زمان dead time در این تراشه برابر با 650ns است، این زمان توسط تراشه تنظیم می شود لذا قابل تغییر نیست، زمان تاخیر در روشن شدن این آی سی 750ns و تاخیر در خاموشی 150ns می باشد. لازم به ذکر است که از این آی سی برای استفاده در فرکانس های بالا توصیه نمی‌شود.

ویژگی‌ها:

• Floating channel designed for bootstrap operation
• Fully operational to +600V
• Tolerant to negative transient voltage
• dV/dt immune
• Gate drive supply range from 10 to 20V
• Undervoltage lockout for both channels
• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
• Matched propagation delay for both channels
• Internally set deadtime
• High side output in phase with input
• Also available LEAD-FREE